PD快速充电器
随着人们生活节奏的加快，快充在充电领域中伴演着非常重要的角色。为了出门携带方便，充电器小型化是必然，提高充电器功率密度已成为重点研究课题。这样就需要提高功率器件的开关频率、使用新的半导体材料和生产工艺。比如超结MOS使用，使用GaN和SiC材料等。
在PD快充中，一般会用到三颗MOSFET,分别是初级高压MOSFET、次级SR-MOSFET、VBUS-MOSFET，美浦森半导体在PD上的应用，有相应具体型号与其相对应。与同行相比，在EMI和效率上拥有出色的性能表现。
常见拓扑图
根据不同的充电器瓦数，美浦森推荐使用型号如下：
A、30W PD(PPS):
B、45W PD(PPS):
C、65W PD(PPS):
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